سوال 124
حل تشریحی سوال شماره 124 معماری کامپیوتر پیشرفته - VLSI پیشرفته
کنکور دکتری مهندسی کامپیوتر 1400
124.
کدام عبارت در خصوص یک ترانزیستور MOSFET صحیح است؟
1)
جریان نشتی گیت در ترانزیستورهای NMOS بیشتر از PMOS است.
2)
برای کاهش جریان نشتی کافی است که ولتاژ گیت را به اندازه کافی کاهش دهیم.
3)
در این ترانزیستورها بین درجه حرارت ترانزیستور و جریان نشتی آن یک رابطه معکوس وجود دارد.
4)
با پیشرفت فناوری ساخت و کاهش سایز این نوع ترانزیستورها جریان نشتی در پیوندها (Junction leakage) تبدیل به عامل اصلی افزایش توان نشتی شده است.
پاسخ ها
0 پاسختا کنون پاسخی برای این سوال وارد نشده است،