سوال 121
حل تشریحی سوال شماره 121 معماری کامپیوتر پیشرفته - VLSI پیشرفته
کنکور دکتری مهندسی کامپیوتر 1400
121.
کدام گزینه در مورد ولتاژ آستانه ترانزیستورهای MOSFET درست است؟
1)
گرم شدن ترانزیستور موجب افزایش تحرک (mobility) حاملها و به تبع آن کاهش ولتاژ آستانه میشود.
2)
با استفاده مؤثر از پدیده (Drain Induced Barrier Lowering (DIBL میتواند به خوبی تثبیت شود.
3)
تابعی از طول ترانزیستور بوده و با آن نسبت معکوس دارد.
4)
پدیده halo doping باعث افزایش ولتاژ آستانه میگردد.
پاسخ ها
0 پاسختا کنون پاسخی برای این سوال وارد نشده است،